摘要: 采用边界元法分析了不同尺寸的良导体受试设备(Equipment Under Test，EUT)对TEM传输室特性阻抗和场分布的影响，并估算了敏感度测试中EUT所承受暴露场强的大小。计算结果表明：与空载时相比当EUT满足“1／3准则”时，TEM传输室的特性阻抗下降值小于2Ω，EUT上、下方场强增加3～4dB，EUT上部所承受暴露场强比通常的估算方法高约4～6dB。测量结果与计算结果基本一致。